|
|
|
نوشته شده توسط : علی محمد
فرمت فایل دانلودی: .rarفرمت فایل اصلی: pdf & wordتعداد صفحات: 8حجم فایل: 1727قیمت: 18000 تومان
بخشی از متن:
بررسی عددی ناخالصی بیس برای کمترین زمان گذر بیس
Numerical Investigate of Base Doping for Minimum Base Transit Time
چکیده
در این مقاله مقدار مطلوب ناخالصی بیس برای مینیمم کردن زمان گذر بیس ارائه شده است . تاثیر باریکی فواصل نوار انرژی ، تاثیر تزریق قوی ، و سرعت اشباع حامل در لبه ناحیه بیس در پیوند بیس-کلکتور ، و همچنین ناخالصی و قابلیت تحرک وابسته به میدان ، ملاحظه شده است . بیشتر ناخالصی اعم از خطی بودن ، تمرکز نمایی ناخالصی مورد بررسی قرار گرفتند . ما فرم ناخالصی یکنواخت ، نمایی و گوسین را در نظر می گیریم . زمان گذر بیس برای مقدار مطلوب فرم ناخالصی بررسی عددی شده است .
کلمه های کلیدی : زمان گذر بیس ، ترانزیستور دوقطبی پیوندی ، تزریق قوی
برای اطلاعات بیشتر با تلگرام بنده تماس حاصل فرمایید. danisignal@
 پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.
:: برچسب‌ها:
دانلود مقاله,دانلود مقاله IEEE,ترانزیستور دوقطبی,تکنولوژی SOI,تاثیر میدانی,کنترل بهره جریان,Silvaco,نرم افزار Silvaco,گیت ماسفت,ماسفت,زمان گذر بیس,تزریق قوی,تزریق ضعیف ,
:: بازدید از این مطلب : 239
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : چهار شنبه 26 مهر 1396 |
نظرات ()
|
|
|
|
|
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
